型号:  IPB65R380C6

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO263-3

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  650V

Id-连续漏极电流：  10.6A

Rds On-漏源导通电阻：  380mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  39nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  83W

高度：  4.4mm

长度：  10mm

系列：  CoolMOSC6

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  9.25mm

下降时间：  11ns

上升时间：  12ns

典型关闭延迟时间：  110nS

Packing Type：  TAPE & REEL

Moisture Level：  1

RDS (on) max：  380.0mΩ

IDpuls max：  29.0A

VDS max：  650.0V

ID max：  10.6A

Package：  D2PAK (TO-263)

Rth：  1.5K/W

QG：  39.0nC

Budgetary Price €€/1k：  0.69

Operating Temperature min：  -55.0°C

Ptot max：  83.0W

Polarity：  N

RthJA max：  62.0K/W

VGS(th) min max：  2.5V 3.5V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs