型号: IPB80N06S3L-06
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 80A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 5.6 毫欧 @ 56A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 80µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 196nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 9417pF @ 25V
功率 - 最大值： 136W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： PG-TO263-3
其它名称： IPB80N06S3L-06-NDIPB80N06S3L-06INTRIPB80N06S3L06XTSP000088004
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：钟晓纯
电话：13691822317
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13714075009
Q Q:
联系人：苏
电话：13534012217
Q Q:
