型号:  IPD031N03LGBTMA1

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

RoHS：  符合 RoHS

公司名称：  OptiMOS

晶体管极性：  N-Channel

Vds - 漏-源击穿电压：  30 V

Id - C连续漏极电流：  90 A

Rds On - 漏-源电阻：  3.1 m0hms

封装/外壳：  TO-252-3

品牌：  InFineon Technologies

标准包装数量：  2500

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  90A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  51nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  5300pF @ 15V

功率耗散（最大值）：  94W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  3.1 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-TO252-3

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs