型号:  IPD068P03L3 G

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO252-3

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  30V

Id-连续漏极电流：  70A

Rds On-漏源导通电阻：  5mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  2V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  91nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +175C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  100W

通道模式：  Enhancement

高度：  2.3mm

长度：  6.5mm

系列：  OptiMOSP3

晶体管类型：  1P-Channel

宽度：  6.22mm

正向跨导 - 最小值：  50S

下降时间：  31ns

上升时间：  100ns

典型关闭延迟时间：  84ns

典型接通延迟时间：  11ns

Packing Type：  TAPE & REEL

Moisture Level：  1

RDS (on) max：  6.8mΩ

IDpuls max：  -280.0A

VDS max：  -30.0V

ID max：  -70.0 A

Package：  DPAK (TO-252)

Rth：  1.5 K/W

QG：  68.0 nC

Budgetary Price €€/1k：  0.34

RDS (on) (@4.5V) max：  11.0mΩ

Ptot max：  100.0W

VGS(th) min max：  -1.0 V -2.0 V

Coss：  2090.0pF

Ciss：  5150.0pF

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs