型号: IPD09N03LA
功能描述: MOSFET N-KANAL POWER MOS
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 50 A
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Rds On-漏源导通电阻: 8.8 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 63 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 3.4 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 5.6 ns
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：吴
Q Q:
联系人：吴
电话：13424180839
Q Q:
联系人：洪先生
电话：15802056765
Q Q:
