型号: IPD105N03LGATMA1
功能描述: MOSFET
制造商: Infineon Technologies
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 30 V
漏极连续电流： 35 A
导通电阻： 10.5 mOhms
最大工作温度： + 175 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： PG-TO252-3-11
封装： Reel
商标： Infineon Technologies
下降时间： 2.4 ns
正向跨导 - 最小值： 51 S
栅极电荷 Qg： 14 nC
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 38 W
上升时间： 14 ns
系列： IPD105N03
工厂包装数量： 2500
商标名： OptiMOS
典型关闭延迟时间： 14 ns
零件号别名： SP000796910
ROHS： 无铅
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