型号:  IPD12CNE8NGXT

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 85V 67A 3-Pin(2+Tab) TO-252

制造商:  Infineon Technologies AG

Max. Gate-Source-Spannung ：  ±20

包装宽度：  6.22

PCB：  2

Max. Betriebstemperatur ：  175

欧盟RoHS指令：  Compliant

Max. Leistungsaufnahme ：  125000

Min. Betriebstemperatur ：  -55

Kanalart：  N

Leitungsform：  Gull-wing

Lieferantenverpackung：  TO-252

Max. Dauer-Drain-Strom ：  67

Anzahl冯Elementen Pro晶片：  1

Max. Drain-Source-Spannung ：  85

包装长度：  6.5

类别：  Power MOSFET

包装高度：  2.3

Stiftanzahl：  3

标准Verpackungsname：  DPAK

Befestigung：  Surface Mount

标签：  Tab

Kanalmodus：  Enhancement

Max. Drain-Source-Widerstand ：  12.4@10V