型号: IPD12N03LBG
功能描述: MOSFET N-CH 30V 30A
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 30 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 17.7 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 52 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 2.6 ns
正向跨导 - 最小值: 43 S / 21 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
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