型号: IPD180N10N3G
功能描述: MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
制造商: Infineon Technologies
产品种类： MOSFET
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 100 V
闸/源击穿电压： +/- 20 V
漏极连续电流： 43 A
导通电阻： 18 mOhms
配置： Single
最大工作温度： + 175 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： TO-252
封装： Reel
商标： Infineon Technologies
下降时间： 5 ns
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 71 W
上升时间： 12 ns
系列： IPD180N10
工厂包装数量： 2500
商标名： OptiMOS
典型关闭延迟时间： 19 ns
零件号别名： IPD180N10N3GBTMA1 SP000482438
ROHS： 无铅
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