型号: IPD30N06S2-15
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表: IPD30N06S2-15
标准包装: 2,500
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: OptiMOS??
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 30A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 14.7 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 80µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1485pF @ 25V
功率 - 最大值: 136W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装: PG-TO252-3
其它名称: IPD30N06S2-15-NDIPD30N06S215IPD30N06S215ATMA1SP000252160
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