型号: IPD30N06S215ATMA1
功能描述: Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S215ATMA1, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
制造商: Infineon Technologies
通道类型： N
最大连续漏极电流： 30 A
最大漏源电压： 55 V
最大漏源电阻值： 14.7 m0hms
最大栅阈值电压： 2V
最小栅阈值电压： 1.2V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： DPAK (TO-252)
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 136 W
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +175 °C
每片芯片元件数目： 1
长度： 6.5mm
高度： 2.3mm
系列： OptiMOS
宽度： 6.22mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 41 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 1485 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 32 ns
典型接通延迟时间： 13 ns
尺寸： 6.5 x 6.22 x 2.3mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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