型号: IPD50N06S3L-08
功能描述: MOSFET N-Ch 55V 50A DPAK-2
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 50 A
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Rds On-漏源导通电阻: 7.8 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 16 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 107 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 50 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 43 ns
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 47 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
零件号别名: IPD50N06S3L08XT
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈
电话：83211462
Q Q:
联系人：朱伟华
电话：18688029520
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：15018507275
Q Q:
