型号: IPD50N06S409ATMA2
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 34µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 47.1nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 3785pF @ 25V
功率耗散(最大值): 71W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 9 毫欧 @ 50A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: PG-TO252-3-11
封装/外壳: PG-TO252-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:谢先生
电话:13332931905
联系人:胡小姐
电话:13724343501
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:陈玲玲
电话:18126117392
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:陈小姐
电话:13510724098
联系人:林小姐
Q Q:
联系人:马亿鑫
电话:18898652162