型号: IPD50R1K4CE
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: PG-TO252-3
RoHS: Y
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
通道数量: 1Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500V
Id-连续漏极电流: 4.8A
Rds On-漏源导通电阻: 1.26Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5V
Vgs - 栅极-源极电压: 20V
Qg-栅极电荷: 8.2nC
最小工作温度: -55C
最大工作温度: +150C
配置: Single
Pd-功率耗散: 42W
通道模式: Enhancement
封装: CutTape
高度: 2.3mm
长度: 6.5mm
系列: XPD50R1
晶体管类型: 1N-Channel
宽度: 6.22mm
下降时间: 30ns
MXHTS: 85412999
上升时间: 6ns
典型关闭延迟时间: 23ns
典型接通延迟时间: 6.5ns
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:樊勉
电话:17621743344
联系人:胡小姐
电话:13724343501
联系人:李先生
电话:18822854608
联系人:肖瑶,树平
电话:17318082080
联系人:方俊杰
电话:13918134727
Q Q:
联系人:李太
电话:13537589664
Q Q:
联系人:李坤
电话:18521770496