型号: IPD50R280CEATMA1
功能描述: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
制造商: Infineon Technologies
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: CoolMOS™ CE
零件状态: Digi-Key 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 13V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 280 毫欧 @ 4.2A,13V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 350µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 32.6nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 773pF @ 100V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 119W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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