型号: IPD50R380CEAUMA1
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 14.1A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 13V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 260µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 24.8nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 584pF @ 100V
Vgs(最大值): ±20V
FET功能: 超级结
功率耗散(最大值): 98W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 380 毫欧 @ 3.2A,13V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PG-TO252-3
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 500V
连续漏极电流ID: 9.9A
漏源电压(Vdss): 500V
供应商器件封装: PG-TO252-3
无铅情况/RoHs: 否
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