型号: IPD50R380CEAUMA1
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
系列： CoolMOS™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 14.1A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 13V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3.5V @ 260µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 24.8nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 584pF @ 100V
Vgs（最大值）： ±20V
FET功能： 超级结
功率耗散（最大值）： 98W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 380 毫欧 @ 3.2A，13V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PG-TO252-3
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 500V
连续漏极电流ID： 9.9A
漏源电压（Vdss）： 500V
供应商器件封装： PG-TO252-3
无铅情况/RoHs： 否
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