型号:  IPD50R3K0CEAUMA1

功能描述:  IPD50R3K0CE: 500 V 1.7 A 3 Ohm SMT CoolMOS CE Power Transistor - PG-TO252-3

制造商:  Infineon Technologies

系列：  CoolMOS™ CE

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  1.7A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  13V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  3.5V @ 30µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  4.3nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  84pF @ 100V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  26W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  3 欧姆 @ 400mA，13V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-TO252-3

封装形式Package：  DPAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  500V

连续漏极电流ID：  2.6A

漏源电压（Vdss）：  500V

供应商器件封装：  PG-TO252-3

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs