型号:  IPD50R650CE

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO252-3

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  500V

Id-连续漏极电流：  9A

Rds On-漏源导通电阻：  590mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  2.5V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  15nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  69W

通道模式：  Enhancement

高度：  2.3mm

长度：  6.5mm

系列：  XPD50R650

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  6.22mm

下降时间：  13ns

上升时间：  5ns

典型关闭延迟时间：  27ns

典型接通延迟时间：  6ns

Packing Type：  TAPE & REEL

Moisture Level：  3

RDS (on) max：  650.0mΩ

IDpuls max：  19.0A

VDS max：  500.0V

ID max：  6.1A

Package：  DPAK (TO-252)

Rth：  2.67K/W

QG：  15.0nC

Budgetary Price €€/1k：  0.34

Operating Temperature min：  -55.0°C

Ptot max：  47.0W

Polarity：  N

Pin Count：  3.0Pins

RthJA max：  62.0K/W

Mounting：  SMT

VGS(th) min max：  2.5V 3.5V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs