型号: IPD50R650CEATMA1
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 6.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3.5V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 15nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 342pF @ 100V
功率耗散（最大值）： 69W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 650 毫欧 @ 1.8A，13V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： PG-TO252-3
封装/外壳： TO-252-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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