型号:  IPD60R1K4C6ATMA1

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  3.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.5V @ 90µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  9.4nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  200pF @ 100V

功率耗散（最大值）：  28.4W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  1.4 欧姆 @ 1.1A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-TO252-3

封装/外壳：  PG-TO252-3

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  3.2 A

最大漏源电压：  650 V

最大漏源电阻值：  1.4 0hms

最大栅阈值电压：  3.5V

最小栅阈值电压：  2.5V

最大栅源电压：  -30 V、+30 V

封装类型：  DPAK (TO-252)

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  28.4 W

高度：  2.41mm

尺寸：  6.73 x 6.22 x 2.41mm

每片芯片元件数目：  1

系列：  CoolMOS C6

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  9.4 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  200 pF @ 100 V

典型关断延迟时间：  40 ns

典型接通延迟时间：  8 ns

宽度：  6.22mm

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +150 °C

长度：  6.73mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs