型号: IPD60R2K1CEBTMA1
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
系列： CoolMOS™ CE
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 2.3A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3.5V @ 60µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 6.7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 140pF @ 100V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 22W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 2.1 欧姆 @ 760mA，10V
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3
封装形式Package： DPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 600V
连续漏极电流ID： 2.3A
漏源电压（Vdss）： 600V
供应商器件封装： TO-252-3
无铅情况/RoHs： 否
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