型号: IPD60R600CPBTMA1
功能描述: Trans MOSFET N-CH 600V 6.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252
制造商: Infineon Technologies AG
最大门源电压： ±20
安装： Surface Mount
包装宽度： 6.22
PCB： 2
最大功率耗散： 60000
最大漏源电压： 600
欧盟RoHS指令： Compliant
最大漏源电阻： 600@10V
每个芯片的元件数： 1
最低工作温度： -55
供应商封装形式： TO-252
标准包装名称： DPAK
最高工作温度： 150
渠道类型： N
包装长度： 6.5
引脚数： 3
通道模式： Enhancement
包装高度： 2.3
最大连续漏极电流： 6.1
标签： Tab
铅形状： Gull-wing
连续漏极电流： 6.1 A
栅源电压（最大值）： �20 V
功率耗散： 60 W
漏源导通电阻： 0.6 ohm
工作温度范围： -55C to 150C
包装类型： TO-252
封装： Tape and Reel
极性： N
类型： Power MOSFET
元件数： 1
工作温度分类： Military
漏源导通电压： 600 V
弧度硬化： No
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：胡子豪
电话：13760425483
Q Q:
联系人：严先生
电话：15818585995
Q Q:
联系人：陈丽娜
电话：13510911167
Q Q:
