型号: IPD60R650CEBTMA1
功能描述: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: CoolMOS™ CE
零件状态: Digi-Key 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 650 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 20.5nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 440pF @ 100V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 82W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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