型号:  IPD65R1K4CFD

功能描述:  MOSFET N-Ch 700V 8.2A DPAK-2

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  2.8 A

Rds On-漏源导通电阻:  1.26 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  10 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  28.4 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  2.3 mm

长度:  6.5 mm

系列:  XPD65R1

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  6.22 mm

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  18.2 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  6 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  33 ns

典型接通延迟时间:  8 ns

零件号别名:  IPD65R1K4CFDBTMA1 SP000953126

单位重量:  4 g