型号: IPD65R950C6ATMA1
功能描述: MOSFET COOL MOS
制造商: Infineon Technologies
汲极/源极击穿电压： 650 V
闸/源击穿电压： 30 V
漏极连续电流： 4.5 A
导通电阻： 0.855 Ohms
配置： Single
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： TO-252-3
封装： Reel
商标： Infineon Technologies
下降时间： 13.6 ns
栅极电荷 Qg： 15.3 nC
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 37 W
上升时间： 5.2 ns
系列： XPD65R950
工厂包装数量： 2500
典型关闭延迟时间： 41 ns
零件号别名： SP001107082
ROHS： 含铅
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