IPD800N06N G规格参数_IPD800N06N G全国代理商/分销商

型号: IPD800N06N G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 2,500
类别：分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装：带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 16A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 80 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 16µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 370pF @ 30V
功率 - 最大值： 47W
安装类型：表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： PG-TO252-3
其它名称： IPD800N06N G-NDIPD800N06NGBTMA1IPD800N06NGINTRIPD800N06NGXTSP000204179SP000443764