型号: IPD80N06S3-09
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 80A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 8.4 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 55µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 88nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 6100pF @ 25V
功率 - 最大值： 107W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： PG-TO252-3
其它名称： SP000264473
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13723794312
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：王小姐
电话：15380434323
Q Q:
联系人：CANDYW
电话：18676397678
Q Q:
联系人：赵
电话：15398479821
Q Q:
