型号:  IPD80P03P4L07ATMA1

功能描述:  Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD80P03P4L07ATMA1, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  80A（Tc）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2V @ 130µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  80nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  5700pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  88W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  6.8 毫欧 @ 80A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-TO252-3

封装/外壳：  PG-TO252-3

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

Vgs（最大值）：  +5V，-16V

通道类型：  P

最大连续漏极电流：  80 A

最大漏源电压：  30 V

最大漏源电阻值：  0.012 0hms

最大栅阈值电压：  2V

最小栅阈值电压：  1V

最大栅源电压：  -16 V，+5 V

封装类型：  DPAK (TO-252)

晶体管配置：  单

引脚数目：  3

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  88 W

最高工作温度：  +175 °C

最低工作温度：  -55 °C

长度：  6.73mm

每片芯片元件数目：  1

高度：  2.41mm

正向二极管电压：  1.3V

宽度：  6.22mm

尺寸：  6.73 x 6.22 x 2.41mm

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  63 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  4400 pF @ -25 V

典型关断延迟时间：  15 ns

典型接通延迟时间：  8 ns

系列：  OptiMOS P

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs