型号: IPD90R1K2C3ATMA2
功能描述: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: CoolMOS™
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 900V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 2.1A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 0.31mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 3.2nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 710pF @ 100V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 83W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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