型号: IPG20N06S4L11ATMA1
功能描述: MOSFET 2N-CH 8TDSON
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: 汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™
零件状态: 有源
FET 类型: 2 N-通道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 20A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 11.2 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 28µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 53nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 4020pF @ 25V
功率 - 最大值: 65W
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-4
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