型号: IPI023NE7N3 G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： IPP023NE7N3 G, IPI023NE7N3 G
标准包装： 500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 120A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 2.3 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3.8V @ 273µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 206nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 14400pF @ 37.5V
功率 - 最大值： 300W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装： PG-TO262-3
其它名称： IPI023NE7N3G
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：于简
电话：13632927780
Q Q:
联系人：陈先生
电话：17665206715
Q Q:
联系人：孔生
电话：18098935723
Q Q:
