型号:  IPI029N06N

功能描述:  MOSFET N-Ch 60V 100A I2PAK-3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-262-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  100 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  66 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  136 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  OptiMOS

封装:  Tube

高度:  9.45 mm

长度:  10.2 mm

系列:  OptiMOS 5

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  4.5 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  80 S

下降时间:  8 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  15 ns

工厂包装数量:  500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  30 ns

典型接通延迟时间:  17 ns

零件号别名:  IPI029N06NAKSA1 IPI29N6NXK SP000962134

单位重量:  2.387 g