型号: IPI12CN10N G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表: IP(B,D,I,P)12CN10N G
标准包装: 500
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: OptiMOS??
包装: 管件
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 67A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 12.9 毫欧 @ 67A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 83µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 65nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 4320pF @ 50V
功率 - 最大值: 125W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装: PG-TO262-3
其它名称: SP000208928
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