型号: IPI12CNE8NG
功能描述: MOSFET N-CH 85V 67A
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 67 A
Vds-漏源极击穿电压: 85 V
Rds On-漏源导通电阻: 12.6 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 125 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: I2PAK-3
封装: Tube
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 8 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 21 ns
工厂包装数量: 500
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
零件号别名: IPI12CNE8NGXK
联系人：Alien
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18823802745
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：柯先生
电话：15072058203
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：陈少铭
电话：13632828979
Q Q:
联系人：康先生
电话：13302469625
Q Q:
