型号: IPI26CNE8NG
功能描述: MOSFET N-CH 85V 35A
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 35 A
Vds-漏源极击穿电压: 85 V
Rds On-漏源导通电阻: 26 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 71 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: I2PAK-3
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 3 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 4 ns
工厂包装数量: 500
典型关闭延迟时间: 13 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
零件号别名: IPI26CNE8NGXK
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：肖圣
电话：17825673949
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：唐云
电话：13530452646
Q Q:
联系人：罗成
电话：15817399314
Q Q:
