型号:  IPI50R299CP

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

RoHS：  符合 RoHS

104 W：  Pd - 功率消耗

安装风格：  Through Hole

封装/外壳：  PG-TO262-3

系列：  IPI50R299

品牌：  InFineon Technologies

下降时间：  12 nS

最低工作温度：  - 55 C

上升时间：  14 nS

标准包装数量：  500

晶体管极性：  N-Channel

公司名称：  CoolMOS

标准断开延迟时间：  80 nS

Vds - 漏-源击穿电压：  550 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：  20 V

Id - C连续漏极电流：  12 A

Rds On - 漏-源电阻：  299 m0hms

配置：  Single

23 nC：  Qg - 闸极充电

最高工作温度：  + 150 C

通道数量：  1Channel

Vds-漏源极击穿电压：  500V

Id-连续漏极电流：  12A

Rds On-漏源导通电阻：  270mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  2.5V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  31nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

Pd-功率耗散：  104W

通道模式：  Enhancement

封装：  Tube

高度：  9.45mm

长度：  10.2mm

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  4.5mm

典型关闭延迟时间：  80ns

典型接通延迟时间：  35ns

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs