型号: IPI60R280C6
功能描述: MOSFET N-Ch 650V 13.8A I2PAK-3 CoolMOS C6
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-262-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 13.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 280 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 43 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 104 W
配置: Single
商标名: CoolMOS
封装: Tube
高度: 9.45 mm
长度: 10.2 mm
系列: CoolMOS C6
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 12 nS
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 100 nS
零件号别名: IPI60R280C6XKSA1 IPI6R28C6XK SP000687554
单位重量: 2.387 g
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