IPI80N06S405AKSA2规格参数_IPI80N06S405AKSA2全国代理商/分销商

型号: IPI80N06S405AKSA2
功能描述: Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N06S405AKSA2, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装
制造商: Infineon Technologies
通道类型： N
最大连续漏极电流： 80 A
最大漏源电压： 60 V
最大漏源电阻值： 5.7 m0hms
最大栅阈值电压： 4V
最小栅阈值电压： 2V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： I2PAK (TO-262)
安装类型：通孔
晶体管配置：单
引脚数目： 3
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 107 W
长度： 10mm
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 10 x 4.4 x 9.25mm
宽度： 4.4mm
系列： OptiMOS T2
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 62 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 5000 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 35 ns
典型接通延迟时间： 20 ns
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +175 °C
高度： 9.25mm
封装/外壳： PG-TO262-3
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs