型号: IPI90R1K0C3XKSA1
功能描述: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262
制造商: Infineon Technologies
包装: 管件
系列: CoolMOS™
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 5.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 1 欧姆 @ 3.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 370µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 34nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 850pF @ 100V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 89W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO262-3
封装/外壳: TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：吕先生
电话：18913217753
Q Q:
联系人：邓斌
电话：15886521483
Q Q:
联系人：陈楚元
电话：15976889972
Q Q:
