型号:  IPL65R165CFDAUMA1

功能描述:  MOSFET HIGH POWER_LEGACY

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  VSON-4

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  21.3 A

Rds On-漏源导通电阻:  149 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  86 nC

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  195 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  CoolMOS

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.1 mm

长度:  8 mm

系列:  CoolMOS CFDA

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  8 mm

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  5.6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7.6 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  52.8 ns

典型接通延迟时间:  12.4 ns

零件号别名:  IPL65R165CFD SP000949254