型号:  IPL65R660E6

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-VSON-4

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  650V

Id-连续漏极电流：  7A

Rds On-漏源导通电阻：  594mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  2.5V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  23nC

最小工作温度：  -40C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  63W

通道模式：  Enhancement

高度：  1.1mm

长度：  8mm

系列：  CoolMOSE6

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  8mm

下降时间：  11ns

上升时间：  8ns

典型关闭延迟时间：  64ns

典型接通延迟时间：  10ns

Packing Type：  TAPE & REEL

Moisture Level：  2a

RDS (on) max：  660.0mΩ

IDpuls max：  16.0A

VDS max：  650.0V

ID max：  7.0A

RthJC max：  2.0 K/W

QG (typ @10V)：  23.0 nC

Package：  ThinPAK 8x8

Budgetary Price €€/1k：  0.53

Operating Temperature min：  -40.0°C

Ptot max：  63.0W

Polarity：  N

Pin Count：  5.0 Pins

RthJA max：  65.0K/W

VGS(th) min max：  2.5 V 3.5 V

Mounting：  SMT

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs