型号: IPP041N12N3G
功能描述: MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 120 A
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Rds On-漏源导通电阻: 3.8 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 158 nC
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
下降时间: 21 ns
正向跨导 - 最小值: 165 S, 83 S
最 594 小工作温度: - 55 C
上升时间: 52 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 500
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
零件号别名: IPP041N12N3GXK IPP041N12N3GXKSA1 SP000652746
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