型号: IPP04CN10N G
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: PG-TO220-3
安装风格: ThroughHole
通道数量: 1Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100V
Id-连续漏极电流: 100A
Rds On-漏源导通电阻: 3.9mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4V
Vgs - 栅极-源极电压: 20V
Qg-栅极电荷: 210nC
最小工作温度: -55C
最大工作温度: +175C
配置: Single
Pd-功率耗散: 300W
通道模式: Enhancement
高度: 15.65mm
长度: 10mm
系列: OptiMOS2
晶体管类型: 1N-Channel
宽度: 4.4mm
正向跨导 - 最小值: 165S,83S
下降时间: 25ns
上升时间: 78ns
典型关闭延迟时间: 76ns
典型接通延迟时间: 34ns
Packing Type: TUBE
Moisture Level: NA
RDS (on) max: 3.9mΩ
IDpuls max: 400.0A
VDS max: 100.0V
ID max: 100.0 A
QG (typ @10V): 158.0 nC
Package: TO-220
Rth: 0.5 K/W
Operating Temperature min max: -55.0 °C 175.0 °C
Budgetary Price €/1k: 2.13
Ptot max: 300.0W
Polarity: N
Coss: 1590.0 pF
Ciss: 10400.0pF
VGS(th) min max: 2.0V 4.0V
VGS(th) (typ) min max: 3.0 V 2.0 V 4.0 V
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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