IPP057N06N3GHKSA1规格参数_IPP057N06N3GHKSA1全国代理商/分销商

型号: IPP057N06N3GHKSA1
功能描述: Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP057N06N3GHKSA1, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
制造商: Infineon Technologies
通道类型： N
最大连续漏极电流： 80 A
最大漏源电压： 60 V
最大漏源电阻值： 5.7 m0hms
最大栅阈值电压： 4V
最小栅阈值电压： 2V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： TO-220
安装类型：通孔
引脚数目： 3
晶体管配置：单
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 115 W
高度： 15.95mm
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 10.36 x 4.57 x 15.95mm
宽度： 4.57mm
系列： OptiMOS 3
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 61 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 5000 pF @ 30 V
典型关断延迟时间： 32 ns
典型接通延迟时间： 24 ns
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +175 °C
长度： 10.36mm
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs