型号: IPP080N06NG
功能描述: MOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 80 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 214 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
商标: Infineon Technologies
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 14 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 15 ns
典型关闭延迟时间: 3 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
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