型号:  IPP45P03P4L11AKSA1

功能描述:  Infineon IPP45P03P4L-11 系列 P沟道 MOSFET IPP45P03P4L11AKSA1, 45 A, Vds=30 V, 3 + Tab引脚 TO-220封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  45A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2V @ 85µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  55nC @ 10V

Vgs（最大值）：  +5V，-16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3770pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  58W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  11.1 毫欧 @ 45A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  PG-TO220-3-1

封装/外壳：  PG-TO220-3

通道类型：  P

最大连续漏极电流：  45 A

最大漏源电压：  30 V

最大漏源电阻值：  18.7 m0hms

最大栅阈值电压：  2V

最小栅阈值电压：  1V

最大栅源电压：  5 V

封装类型：  TO-220

晶体管配置：  单

引脚数目：  3 + Tab

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  58 W

最高工作温度：  +175 °C

最低工作温度：  -55 °C

长度：  10mm

每片芯片元件数目：  1

高度：  15.65mm

正向二极管电压：  1.3V

宽度：  4.4mm

尺寸：  10 x 4.4 x 15.65mm

典型栅极电荷@Vgs：  42 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  2900 pF @ -25 V

典型关断延迟时间：  45 ns

典型接通延迟时间：  7 ns

系列：  IPP45P03P4L-11

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs