型号: IPP60R190E6
功能描述: MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS E6
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 20.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 170 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 151 W
配置: Single
商标名: CoolMOS
封装: Tube
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
系列: CoolMOS E6
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
零件号别名: IPP60R190E6XKSA1 IPP6R19E6XK SP000797378
单位重量: 6 g
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