型号: IPP65R190CFD
功能描述: MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3 CoolMOS CFD2
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 17.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 68 nC
Pd-功率耗散: 151 W
配置: Single
商标名: CoolMOS
封装: Tube
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
系列: CoolMOS CFD2
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 6.4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8.4 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
零件号别名: IPP65R190CFDXKSA1 IPP65R19CFDXK SP000881160
单位重量: 6 g
联系人:韩雪
电话:18124047120
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:谢先生
电话:13332931905
联系人:蔡升航
电话:13202105858
联系人:肖瑶,树平
电话:17318082080
联系人:廖小姐
电话:13360063783
联系人:Alien
联系人:高优秀
电话:13695017732
联系人:的小姐
联系人:陈
Q Q: