型号: IPP80N04S2H4AKSA2
功能描述: Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin TO-220 Tube
制造商: Infineon (英飞凌)
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）: 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 80A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 148nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 4400pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 300W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 4 毫欧 @ 80A，10V
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3-1
封装/外壳: TO-220-3
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：林启旭
电话：15815591278
Q Q:
联系人：陈彬
电话：18123754219
Q Q:
联系人：刘
电话：13538032746
Q Q:
