型号: IPS050N03LGAKMA1
功能描述: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
制造商: Infineon Technologies
包装: 管件
系列: OptiMOS™
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 31nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3200pF @ 15V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 68W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO251-3
封装/外壳: TO-251-3 短截引线，IPak
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：周生
电话：18126187240
Q Q:
联系人：陈
电话：18101073669
Q Q:
联系人：曹先同
电话：13715253108
Q Q:
